1. The abrupt depletion layer approximation applied. The space charge regions have abrupt boundaries, and the semiconductor is neutral outside of the depletion region.
( Space charge region은 급격한 경계를 가지며, semiconductor는 원하는 위치에만 정확하게 도핑된다. Semiconductor는 Space charge region 영역 밖에서는 중립적이다.)
Doping profile of an ideal uniformly doped pn junction 위 그림에서 확인할 수 있듯이, hole의 농도는 p type에서 Na만큼의 값을 일정하게 가지다가 x=0을 기점으로 0이되고 electron의 농도 역시 Nd만큼 일정하게 가지다가 x=0을 기점으로 0이 된다.
이러한 구조에서 diffusion이 일어나기 시작한다.
2. The Maxwell-Boltzmann apprixamtion applies to carrier statistics.
( 전하 통계에 맥스웰 복츠만 근사가 사용된다.) //도핑 농도 기준을 맞추어, conduction band, valance band가 각각 fermi energy 와의 차이가 3KT보다 가까워지지 않도록 low injection한다.
3. The concepts of low injection and complete ionization apply.
( low level injection의 개념과 모든 원자가 이온화 되었다는 개념이 적용된다.)
4. The total current is a constant through the entire pn structure. - The individual electron and hole currents are continuous functions through the pn structure. - The individual electron and hole current are constant throughout the depletion region.
( pn junction에서 전체 전류는 일정하다.) - 전자와 정공 각각의 전류는 pn 구조내에서 위치에 따라 다르다.(위치에 따른 함수로 이루어져 있음.) - 전자와 정공의 각각의 전류는 depletion 영역에서는 일정하다.
Electron and hole current densities through the space charge region of a pn junction
